实验室主要通过先进半导体材料表征、探测器试样加工、辐照响应和辐照损伤实验测试，从而实现基于宽禁带半导体材料的辐射探测器件研制和性能研究，为该类器件服务于脉冲探测、强流辐射场监测奠定实验基础。

实验室可开展宽禁带半导体材料性能表征、探测器制备及性能标定、辐照响应和辐照损伤实验研究等科研工作，同时可结合《核辐射探测与防护》、《核技术应用》等专业课程内容，为学生提供半导体辐射探测器等专业实验课程。

实验室搭建材料表征实验平台、半导体辐射探测器件测试实验平台，可提供宽禁带半导体单晶材料基本特性表征条件，部分探测器试样加工条件、探测器稳态和脉冲响应实验条件。

参与或主持了包括：

（1）基于GaN材料的脉冲辐射探测技术研究，国家自然科学基金青年科学基金项目；

（2）大面积、电流型GaN辐射探测器件制备及性能研究，国家自然科学基金面上项目；

（3）宽禁带GaN核探测技术研究，北京市科技新星资助计划。

等研究项目。